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位錯線的識別對于評價晶體的性能具有重要意義

發布時間:2021-03-22 06:22人氣:

在材料科學中,位錯線是晶體或晶格滑動面上滑動區域的邊界,位錯線的識別對晶體性質的識別有重要影響。本文將三維可視化技術應用于分子動力學領域,改進了原來只通過計算結果分析數據,通過二維圖像簡單觀察數據的方法。設計了晶體位錯可視化系統,便于觀察晶體中原子間形成的三維結構,便于研究晶體位錯等重要材料性質,提高位錯線的識別效率。位錯理論是金屬力學性能的理論基礎,在材料科學研究中不可或缺。1934年,科學家泰勒·奧羅萬和波蘭尼幾乎同時提出了位錯假說,即晶體中存在一種線缺陷,成功地解釋了以前無法解決的現象。位錯線的形成和發展可以用Frank-Readsource增量原理[2]來解釋:當應力超過臨界應力時,位錯線膨脹形成內外兩部分,外位錯逐漸膨脹,內位錯線恢復原狀。在外力作用下,不斷產生新的位錯環,從而獲得大量滑移。當位錯從材料內部移動到材料表面時,這意味著位錯線掃過的整個區域沿著位錯的Burgers矢量方向[3]滑動了單位距離。當材料“冷加工”時,由于位錯的引發和增值機制的激活,其中的位錯密度會增加。

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